IRF8714GPBF【PDF 2/9 页】MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

您好，
买卖IC网欢迎您。
请登录
免费注册

1页 [2页]3页 4页 5页 6页

IRF8714GPbF

Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

BV DSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

30

–––

–––

V

V GS = 0V, I D = 250μA

?Β V DSS / ? T J

Breakdown Voltage Temp. Coefficient

–––

0.021

–––

V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA

R DS(on)

Static Drain-to-Source On-Resistance

–––

7.1

8.7

m ?

V GS = 10V, I D = 14A

–––

10.9

13

V GS = 4.5V, I D = 11A

V GS(th)

Gate Threshold Voltage

1.35

1.80

2.35

V

V DS = V GS , I D = 25μA

? V GS(th)

Gate Threshold Voltage Coefficient

–––

-6.0

–––

mV/°C V DS = V GS , I D = 25μA

I DSS

Drain-to-Source Leakage Current

–––

–––

1.0

μA

V DS = 24V, V GS = 0V

–––

–––

150

V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 125°C

I GSS

gfs

Q g

Q gs1

Q gs2

Q gd

Q godr

Q sw

Q oss

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Forward Transconductance

Total Gate Charge

Pre-Vth Gate-to-Source Charge

Post-Vth Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain Charge

Gate Charge Overdrive

Switch Charge (Q gs2 + Q gd )

Output Charge

–––

–––

71

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

8.1

1.9

1.0

3.0

2.2

4.0

4.8

100

-100

–––

12

–––

–––

–––

–––

–––

–––

nA

S

nC

nC

V GS = 20V

V GS = -20V

V DS = 15V, I D = 11A

V DS = 15V

V GS = 4.5V

I D = 11A

See Figs. 15 & 16

V DS = 16V, V GS = 0V

R g

t d(on)

t r

Gate Resistance

Turn-On Delay Time

Rise Time

–––

–––

–––

1.6

10

9.9

2.6

–––

–––

?

V DD = 15V, V GS = 4.5V

I D = 11A

t d(off)

t f

C iss

C oss

C rss

Turn-Off Delay Time

Fall Time

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

–––

–––

–––

–––

–––

11

5.0

1020

220

110

–––

–––

–––

–––

–––

ns

pF

R G = 1.8 ?

See Fig. 18

V GS = 0V

V DS = 15V

? = 1.0MHz

Avalanche Characteristics

Parameter

Typ.

Max.

Units

E AS

I AR

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

–––

–––

65

11

mJ

A

Diode Characteristics

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

I S

Continuous Source Current

–––

–––

3.1

MOSFET symbol

D

I SM

(Body Diode)

Pulsed Source Current

–––

–––

110

A

showing the

integral reverse

G

V SD

(Body Diode)

Diode Forward Voltage

–––

–––

1.0

V

p-n junction diode.

T J = 25°C, I S = 11A, V GS = 0V

S

t rr

Q rr

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

–––

–––

14

15

21

23

ns

nC

T J = 25°C, I F = 11A, V DD = 15V

di/dt = 300A/μs

t on

2

Forward Turn-On Time

Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)

www.irf.com

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

*

*

*

相关PDF资料

IRF8721GTRPBF MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

IRF9204PBF MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB

IRF9332PBF MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC

IRF9392TRPBF MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC

IRF9410PBF MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC

IRF9410TR MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC

IRF9520NLPBF MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3

IRF9520NSTRR MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK

相关代理商/技术参数

IRF8714GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF8714PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.7mOhms 8.1nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF8714TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF8721GPBF 功能描述:MOSFET HEXFET 30V VDSS 8.5mOhm 10V 8.3nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF8721GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF8721PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 8.3nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF8721TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC Qg RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF8734PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube